苹果可以默默准备图像传感器设计领域中最重要的进步之一。这可能会改变一切，从iPhone到专业的剧院设备。最近，苹果发布了一项新专利，称为“图像传感器，充满动态的高和低噪声范围”。这一发现可能表明可以构成移动图像和专业图像领域的进步。指出堆叠的传感器体系结构具有多达20齿轮的动态范围，苹果可能已经准备好与电影摄像机技术领域的巨人竞争，甚至可以克服它们。最高的性能传感器已推出了一种新的专利，称为“低级堆叠像素的图像传感器”，该专利揭示了图像技术的重大进展。苹果以其定制芯片和C Softwareamara而闻名，但专利提出了更雄心勃勃的目标。这是一个完全自主的图像传感器，具有与主电影摄像头相机相当的动态范围。这不仅是理论上。传感器体系结构指出，它的动态范围高达120 dB。这对应于20个齿轮的动态范围。 That is much higher than the current industry giants such as Arri Alexa 35. As Apple declared in its description of the patent, "the present invention described here provides an image sensor that includes a new 3T pixel design that allows a high dynamic range, under noise and can occur in traditional 4T pixels. Optics and posterior lobes: 4t rank captains (sensation lobes) that at a sensor rank level are optical and lobal.Rilling in the现在，无需自动曝光。组件和比标准4T传感器更有效，并且性能得到提高。 As Apple says, "in this example, the ERF 44 circuit, two cargo storage capacitors 50 and 52 and two ERFF transistors (ERIC1 and ERIC2) 54 and 56 are connected with the floating diffusion node 42. The second transistor 56 is used in this configuration to replace the capacity, so in this configuration, the load capacient 52 can store this wave and read this wave and read this configuration.Implement (probably the未来的iPhone 17 Pro或Apple Vision Pro 2），它是：它是：视频捕获而没有超薄形式的真实时间噪音，专业质量的图像和非常高的DR（20）苹果可能赢得了索尼高端相机传感器的依赖性，并准备进入传感器市场作为竞争作为竞争的竞争，而不是一个客户，而不是苹果公司的竞争，也可以是苹果，这也可以是苹果的跳跃。图像图像图像中图像中图像中图像中图像中的图像中的图像。或人工智能。因此，不难想象该传感器与神经元发动机的处理深度整合到在极端条件下更强大。对我来说，此时该专利似乎并不令人震惊，但其影响力很大。苹果不仅改善了相机软件，而且还从芯片级别重新定义了图像传感器。如果该技术在生产方面取得了进步，那么新的黄金标准可能会出现在数字图像领域。不仅在智能手机世界，而且在电影世界中。当前正在使用的大多数图像传感器堆叠的像素图像传感器是带有4T像素的活性传感器（APS）的CMO单片矩阵（补充金属氧化物半导体）。在这些设备中，每个检测器元件（称为“像素”）包含一个光电二极管，浮动扩散区和四厘米OS晶体管，包括转移门，重新启动门，一门精选门和读晶体管的原产地。传输门控制着从光电二极管到浮动扩散区的负载转移，并通过双相关采样（CD）实现降噪。使用3T像素（没有变速箱门）的图像传感器易于制造，并且不太可能拥有伪影，但通常没有噪音。对下面描述的本发明实现的一般描述提供了图像传感器和改进的方法来生成和控制此类图像传感器。因此，根据本发明的实现，提供了图像传感器。这包括逻辑芯片，例如列读取电路和连接到柱读数电路的位线以及逻辑芯片中叠加传感器的芯片。图像传感器包含每个检测器元件的矩阵，其中包括位于传感器C中的检测电路臀部和像素电路位于逻辑芯片中。检测电路包括一个带有阴极和阳极端子的光电二极管，连接到Terphotodiodes Minals之一的浮动扩散节点，浮动扩散节点和重新启动电压之间的耦合复位晶体管，以及浮射扩散电压。它包括与扩散节点相关的输入和输出的原始关注者晶体管。像素电路包括一个所选的晶体管，该晶体管具有向上输出输出到源跟随器的输出和位点线的输出，以及当前的存储电路与所选晶体管的输入并配置晶体管的输入，以检测并发出指示检测器元素噪声水平的信号。在某些成就中，每个检测电路都包含一个全面的侧向溢出（ERF）冷凝器电路，其中包括一个或多个负载存储凝结，在浮动扩散节点和货物存储电容器之间耦合，一个或更多的晶体管在Loffic Loffic电路和遗体驻留电路之间计数左旋电路和负载存储电路和货物存储电路。在揭示的实现中，Loffic电路包括：第二个负载存储电容器，其第二个冷凝器大于第一冷凝器。第一个Loffic晶体管在浮动扩散节点和第一个负载存储电容器的第一个负载输入端子之间连接。以及第一个负载存储冷凝器的第一个负载入口终端之间的第二个Loffic晶体管，第二个负载存储冷凝器的第一个加载端子。在实现中，重新启动晶体管在第二个负载存储电容器的第二个负载输入端子和重新启动电压之间连接。另外，或选择，在将检测器元素读取到位线时，第一个和第二个loffic晶体管被持续激活，并且会激活选定的晶体管。在某些成就中，在每个图像框架中，重新启动晶体管在初始重置期间打开，从而在表格期间恢复了浮动扩散节点。选定的晶体管在展览后的第一读期间打开，以读取浮动扩散节点光化。然后，重置晶体管在初始选择期之后的第二个阶段进行，以恢复浮动扩散节点。在第二个重新启动后的第二个读取期间，选定的晶体管驱动器以读取检测器元件积累的任何噪声。在某些成就中，当前状态是存储电路至少包含一个采样电容器，并且在所选晶体管的入口端子和A之间至少合并了一个采样晶体管，而A a则较小的采样电容器。在揭示的实现中，当前的存储电路包括：所选晶体管I之间连接的读取晶体管单位端子和至少一个采样晶体管。此外，偏置晶体管与具有与阅读晶体管相对的极性的阅读晶体管平行。其中，在周期的第一和二读中，在裸露的周期中，读取和偏置晶体管被激活。在实现的意识中，偏置晶体管在重新启动的第一阶段和重新启动的第二阶段中打开。另外，或者，至少一个采样电容器包括第一个和第二个采样电容器，至少一个采样晶体管包括第一和第二个采样冷凝器之间的第一和第二系列采样晶体管以及选择晶体管的入口终端。根据目前的发明，还提供了一种图像检测方法，并提供了方法：提供了一个逻辑芯片，其中包括连接到柱读数电路的列读取电路和钻头线。覆盖逻辑芯片传感器芯片。一系列的确定在传感器芯片和逻辑芯片中形成了CTOR元件，每个检测器元件，包括在传感器芯片中形成的检测电路和逻辑芯片中形成的像素电路。每个检测电路包括带有阴极和阳极端子的光电二极管，连接到一个光二维端子之一的浮动扩散节点，在浮动扩散节点和重新启动电压之间的耦合重新启动晶体管，以及与浮力和浮动扩散node相关的输入器和出口的跟随者的跨性别者。每个像素电路都包含一个选定的晶体管，其输出耦合到输入耦合到原始跟随器的Salida和一个耦合到所选晶体管入口的当前存储器电路，并构成含义和出口，指示了检测器元素的噪声水平。符号。本发明是本发明的化身，以下详细描述将被更加完全理解带有附带的图纸。本书当前实现的详细描述提供了一个图像传感器，其中包括一个新的3T像素设计，该设计可以使用高动态范围，低噪声和潜在的伪影，而在传统的4T像素竞技场中没有工件的潜力。图像传感器在逻辑芯片中包含一个堆叠的传感器芯片。每个3T像素包括传感器芯片中的检测电路。传感器芯片包括一个全面的光引起的溢流电路（ERF），可在各种照明条件下（从内部到灯光长，没有自动曝光控制）检测。此外，每个像素都包含当前存储电路中包含的逻辑芯片中的像素电路。该电流存储电路用于检测检测器元素中的噪声水平。可以使用CD删除当前存储电路信号的输出。逻辑芯片中的当前存储电路与逻辑电路一起特别有用，但是其他成就可以使用逻辑芯片中的组件来减少其他图像传感器像素中的噪声，而无需逻辑电路。如图。根据本发明的实现，图是图像传感器的示意图。如图。 1根据本发明的实现，这是图像传感器20的示意图。 20个图像传感器包括由硅晶片制成的逻辑芯片24和另一个硅晶片制成的22个传感器芯片，该芯片覆盖了逻辑芯片24。图像传感器20包含检测器元件的基质26（也称为像素）。 （如图2所示）。图像传感器20的堆叠硅配置允许24 CMO逻辑芯片和电路读取控件，而检测电路28可以在各种过程中制造。另外，传感器22比硅可以包含更多的半导体材料。图2是根据实现O的图像传感器检测器元素的详细示意图f本发明。图2是根据本发明的实现，是检测器26元素之一的示意图图。图2所示的传感器能量电路28包括通道N的MOSFET晶体管和N-on-P 38光二极管28也可以包括P和光源P-ON-N的晶体管。 28个检测电路组件连接到电源电压48，例如1.5 V，1.2 V或1.0V。此设计不需要在电源电压上方或位置电势以下的电压。 28个检测电路包括浮动扩散节点（FD：浮动扩散n）42，连接到Photodiodio 38端子的节点（在这种情况下为阴极和地球阳极40）。全面的侧向溢出（LO-FIC）44电路耦合到浮动扩散节点42，并在LEF电路和复位电压之间耦合一个重新启动晶体管（RST1）46（重新启动电压为电源电压48）。此检查中的ERF 44电路E包括两个负载存储电容器50和52，以及两个晶体管ERF（ERIC1和Equic2）54和56耦合到浮动扩散节点42。20SS。第二个晶体管EFIC 56将第一个负载存储冷凝器50的负载输入连接到第二个负载存储冷凝器52的负载条目。此配置使用42浮动扩散节点在低光条件下存储和读取照相。 50个负载存储冷凝器用于在中等光条件下存储和读取Photocargue。 52负载储存冷凝器用于在高光学条件下存储和读取光电载体。这种loffic配置允许检测器元素26在大约120 dB的动态范围内检测光。或者，可以使用其他ERF配置，这可能导致较少数量的电容器和晶体管。晶体管58追随者门连接用于接收浮动扩散节点42的加载输入，其排水已连接到32 out放置端子，该端子连接到像素电路30.矩阵的条目34的端子。如上所述，该位线符合检测器元素到逻辑芯片24的第64列读取电路。在读取检测器元件26时，偏置晶体管（偏置v3）66是连接到输入端子34的，并且通常提取大约1电流的电流。为了实现噪声检测和取消，像素电路30包括当前的存储电路68，包括N（RD：阅读晶体管）70的读取晶体管和通道P偏置的晶体管（偏置V1）72。在此示例中，在此示例中，阅读晶体管和偏见晶体管具有相反的极性。因此，在显示的示例中，读取晶体管70（以及像素电路30的其他组件）是通道n，而V1 72偏置晶体管是通道P。设备。第二个偏见晶体管（偏置V2）74与P通道的两极分化晶体管相连当两个偏置晶体管点亮时，吸收偏置电流约为100 na。采样线36连接到读取晶体管70和V1晶体管72和V2极化晶体管74。检测器元件26的流动在一对采样电容器76、78中显示。在两个采样能力之间，大约0.1 ff的额外寄生耦合。一对采样晶体管82，84暂时点燃与在检测电路重新启动期间通过检测电路28的样品电流同时点燃。然后关闭晶体管82（SMP1）并关闭晶体管84（SMP2）。晶体管82样品在检测器元件26中样本KTC噪声，但还采样了剩余的误差晶体管84晶体管82的功率。在从检测器元素26中读取过程中，采样电流信号将通过SELECT晶体管60读取到位62。GE电路68具有单个样品电容器或一个样品consita，可用于存储大量样品。你可以写。 Figure 3 is a Timing Diagram According to the Embodiment of the Presention, which schematically illustrates the signals applied to the detector element transistor of figure 2. 72, 74, 82, and 84, 54, 66, 70, 72, 74, 82 and 84, 54, 66, 70, 72, 74, 84 and 84, 54, 66, 70, 72, 74, 82 and 84、54、66、70、72、74、82和84 72表明，相同的极性，因为已经证明相同的极性，因为已经证明相同的极性适用相同的极性，因为已证明mypolarity SMA适用于具有相同极性的晶体管72。但是，实际上，V1 72偏置晶体管是PP通道设备，因此V1偏置信号的极性与其他信号相反。应用于晶体管66的V3极化信号与偏振信号V2相同，在此通过简单性省略。 eaCH Image框架88包含一个曝光90期的时期，该期限从1到10 ms不等。同时，在浮动扩散节点42中收集了光电二极管的摄影，并且在某些情况下，它包含ERF 50、52。的负载存储电容器之一，或两者取决于入射光的强度。 In the period of restart prior to exposure 92, the restoration of the floating diffusion node 42 is turned on before the exposure period 90. The transistors ERF 54, 56 are activated in RST1 to restore the storage capacitors of Carga loffical 50, 52 y v2 BIAS del circuito de pixel 30 (V2 y V3 BIAS) para la duración de 74 (66) durante el período de exposición) y todas las pruebas y todas las muestras) y todas las pruebas y muestras) y todas las pruebas y muestras), y se encienden y se muestran y se muestran y se muestran y se muestran y se muestran y se muestran y se muestran y se他们显示并显示了Muestran y Se Muestran y se。晶体管82，84（SMP1和SMP2）在RST1重置脉冲后依次打开并关闭。在90段暴露期间后，在94读取周期打开了选择的晶体管60和读取晶体管70（SEL和RD），并且三个偏见晶体管也被点燃72、74和66（V1，V1，V2和V3），浮动N包括浮动节点42，以调整62个间隔62的浮点42，包括42的浮标，包括42的浮点42。扩散节点42在42E高增益96上打开。然后在平均增益间隔98中点亮晶体管ERF 54和56，而低增益间隔100，以读取在负载负载负载负载负载负载负载负载负载负载负载负载的位62线中存储的光电棒。负载存储储存冷凝器54，56。极化晶体管72，74，66（偏置V1，V2，V2偏置和V3偏置）在像素电路30中再次打开，并像在恢复时期一样，对晶体管82，84（SMP1和SMP2）进行采样点亮，它们被点燃。 60和读取晶体管70在噪声读取期104中再次打开，以读取元素3i读取的任何噪声，以106的高增益间隔读取。冷凝器52和54的剩余负载在62个位线中读取。 Bijo 72、74和66的晶体管在噪声读取周期中仍被激活104。当前的存储电路逻辑是从展览期间在展览期间展览期间在输出出口出口出口期间展览期间的光学信号的信号读取的。图像传感器输出信号的信号。以前的特定屏幕和描述。相反，表格中当前库存的范围包括上述各种特征的组合和子组合，以及在阅读先前的描述时可能会发生在艺术专家中的变化和修改，并且在前艺术中未揭示。附件：专利细节
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